型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: TO-3pF N-CH 600V 25A51465+￥31.578350+￥30.2288200+￥29.4731500+￥29.28421000+￥29.09522500+￥28.87935000+￥28.74447500+￥28.6094 -
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 5 V12771+￥45.603610+￥42.9870100+￥41.0432250+￥40.7442500+￥40.44521000+￥40.10872500+￥39.80975000+￥39.6228 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列 一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)67181+￥54.753610+￥51.6120100+￥49.2782250+￥48.9192500+￥48.56021000+￥48.15622500+￥47.79725000+￥47.5728 -
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品类: MOS管描述: TO-3P N-CH 500V 30A81651+￥90.930510+￥86.9770100+￥86.2654250+￥85.7119500+￥84.84211000+￥84.44682500+￥83.89335000+￥83.4189 -
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品类: MOS管描述: N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列 一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™) ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备27595+￥24.008450+￥22.9824200+￥22.4078500+￥22.26421000+￥22.12062500+￥21.95645000+￥21.85387500+￥21.7512 -
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品类: MOS管描述: 硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET92291+￥41.150610+￥38.7895100+￥37.0355250+￥36.7657500+￥36.49591000+￥36.19232500+￥35.92255000+￥35.7538 -
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品类: MOS管描述: TO-3PML N-CH 1500V 2A207210+￥8.7480100+￥8.3106500+￥8.01901000+￥8.00442000+￥7.94615000+￥7.87327500+￥7.814910000+￥7.7857 -
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品类: MOS管描述: 先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET858910+￥11.5560100+￥10.9782500+￥10.59301000+￥10.57372000+￥10.49675000+￥10.40047500+￥10.323410000+￥10.2848 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA70N10, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-3PN封装42135+￥16.567250+￥15.8592200+￥15.4627500+￥15.36361000+￥15.26452500+￥15.15125000+￥15.08047500+￥15.0096 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA70N15, 70 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-3PN封装80775+￥15.795050+￥15.1200200+￥14.7420500+￥14.64751000+￥14.55302500+￥14.44505000+￥14.37757500+￥14.3100 -
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品类: MOS管描述: QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。889610+￥8.7120100+￥8.2764500+￥7.98601000+￥7.97152000+￥7.91345000+￥7.84087500+￥7.782710000+￥7.7537 -
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品类: MOS管描述: ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDA18N50, 19 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3P封装595110+￥11.4120100+￥10.8414500+￥10.46101000+￥10.44202000+￥10.36595000+￥10.27087500+￥10.194710000+￥10.1567 -
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品类: MOS管描述: FQA40N25 系列 250 V 40 A 70 mOhm N-沟道 QFET® MOSFET - TO-3PN80145+￥17.643650+￥16.8896200+￥16.4674500+￥16.36181000+￥16.25622500+￥16.13565000+￥16.06027500+￥15.9848 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQA36P15 晶体管, MOSFET, P沟道, -36 A, -150 V, 90 mohm, -10 V, -4 V72255+￥17.631950+￥16.8784200+￥16.4564500+￥16.35101000+￥16.24552500+￥16.12495000+￥16.04967500+￥15.9742 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDA24N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 500 V, 0.16 ohm, 10 V, 5 V7937 -
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品类: MOS管描述: FDA032N08: N 沟道 PowerTrench MOSFET 75V，235A，3.2mΩ87925+￥19.410350+￥18.5808200+￥18.1163500+￥18.00021000+￥17.88402500+￥17.75135000+￥17.66847500+￥17.5854 -
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品类: MOS管描述: UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。99435+￥15.385550+￥14.7280200+￥14.3598500+￥14.26781000+￥14.17572500+￥14.07055000+￥14.00487500+￥13.9390 -
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品类: MOS管描述: UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。90615+￥28.711850+￥27.4848200+￥26.7977500+￥26.62591000+￥26.45412500+￥26.25785000+￥26.13517500+￥26.0124 -
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品类: MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDA59N30 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 300 V, 0.047 ohm, 10 V, 5 V29625+￥25.143350+￥24.0688200+￥23.4671500+￥23.31671000+￥23.16622500+￥22.99435000+￥22.88697500+￥22.7794 -
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品类: MOS管描述: FQA11N90C_F109 N沟道MOSFET QFET 900 V， 11 A， 1.1欧姆 FQA11N90C_F109 N-Channel QFET MOSFET 900 V, 11 A, 1.1 Ohm48931+￥39.259610+￥37.0070100+￥35.3336250+￥35.0762500+￥34.81881000+￥34.52912500+￥34.27175000+￥34.1108 -
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品类: MOS管描述: N沟道MOSFET QFET® 900 V， 11.4 ， 960英里© N-Channel QFET® MOSFET 900 V, 11.4 A, 960 mΩ58395+￥13.911350+￥13.3168200+￥12.9839500+￥12.90071000+￥12.81742500+￥12.72235000+￥12.66297500+￥12.6034 -
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品类: MOS管描述: ON SEMICONDUCTOR NDTL03N150CG. 场效应管, MOSFET, N沟道, 1.5KV, 8Ω, TO-3P-3652610+￥9.9720100+￥9.4734500+￥9.14101000+￥9.12442000+￥9.05795000+￥8.97487500+￥8.908310000+￥8.8751 -
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品类: MOS管描述: TO-3P N-CH 100V 160A21251+￥48.275410+￥45.5055100+￥43.4479250+￥43.1313500+￥42.81471000+￥42.45862500+￥42.14215000+￥41.9442 -
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品类: MOS管描述: ON SEMICONDUCTOR WPH4003-1E 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 1.7 kV, 8.2 ohm, 10 V, 4 V14105+￥28.232150+￥27.0256200+￥26.3500500+￥26.18111000+￥26.01212500+￥25.81915000+￥25.69857500+￥25.5778 -
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品类: MOS管描述: N沟道 200V 96A48535+￥12.811550+￥12.2640200+￥11.9574500+￥11.88081000+￥11.80412500+￥11.71655000+￥11.66187500+￥11.6070 -
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品类: MOS管描述: STMICROELECTRONICS STFW3N150 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 1.5 kV, 6 ohm, 10 V, 4 V485710+￥8.1120100+￥7.7064500+￥7.43601000+￥7.42252000+￥7.36845000+￥7.30087500+￥7.246710000+￥7.2197
